Accreditation to supervise research (HDR),University of Lorraine, France
Ausrine Bartasyte
“Strain and chemical engineering of functional oxides: from single crystals to thin films and nanostructures”
Jury members: S. Ballandras, R. Carles, P. Muralt, T. Belmonte, M.-P. Bernal, M.C.M. De Lucas, G. Montemezzani, C. Vahlas
De la synthèse de cristaux à la croissance de films minces par voies chimiques et physiques, mes travaux se sont portés sur l’optimisation des propriétés de matériaux fonctionnels principalement piézoélectriques et ferroélectriques. L’ingénierie des contraintes mécaniques et des propriétés chimiques de ces matériaux complexes joue un rôle fondamental sur leur structure, la formation de macles et domaines ferroélectriques, les transitions de phases et la dynamique vibrationnelle. Mes recherches concernent actuellement des films minces et des cristaux de niobate/tantalate d’alcalins pour les dispositifs acoustiques et optiques. Leurs propriétés physiques sont contrôlées par la modification de la structure et la composition chimique. Par exemple, le changement important de l'expansion thermique des couches minces épitaxiales montre qu'il est possible de modifier significativement les propriétés élastiques ouvrant ainsi la voie pour des dispositifs compensés thermiquement.
Doctor of Philosophy, Grenoble Institute of Technology, France
Ausrine Bartasyte
"Stress effects and phase transitions in PbTiO3 thin films deposited by MOCVD”
Supervisors: DR F. Weiss, Grenoble INP & Prof. A. Abrutis, University of Vilnius
Raman spectroscopy, X-ray diffraction and Transmission Electron Microscopy were used to investigate the origin and stress effects on phase transitions in PbTiO3 epitaxial thin films. A thickness series of epitaxial PbTiO3 films were deposited on substrates inducing compressive (SrTiO3 and LaAIO3) and tensile (MgO) misfit stresses to vary the stress level in the films. We showed that the VH polarization configuration is essential for Raman investigation of residual stress in PTO thin films as oblique modes are absent, and that E(3TO) hard mode is the unique reliable mode. The residual stress originates not only from misfit stresses, but also from thermal and phase transformation stresses. It was found that ferroelectric cluster size in high temperature phase is increased and Tc is higher in highly stressed films.
Thesis can be found in http://www.theses.fr/2007INPG0154